化学机械平面化（CMP）通过化学腐蚀与机械研磨的协同作用，选择性去除材料表面凸起，使晶圆达到纳米级平整度。这种工艺是集成电路（IC）和微机电系统（MEMS）量产的核心环节，确保多层芯片结构的精确堆叠.

若表面存在微小不规则，芯片性能将大幅下降。CMP如同一位“微观泥瓦匠”，为每一层电路铺设完美的基础平面。

CMP的关键消耗材料是抛光垫，其凹槽设计直接影响抛光效果。长期使用会导致凹槽堵塞或表面釉化（抛光残留物堆积），降低工艺稳定性。

通过无损检测技术（如S mart 2测量系统），制造商可实时监控抛光垫状态，延长使用寿命，降低30%以上的成本。

现代CMP工艺依赖高精度测量设备，例如：

•凹槽深度检测：避免因堵塞导致抛光不均；

•釉化层分析：及时清洁或更换抛光垫。

这些技术从加工源头把控质量，推动半导体制造向更高良率迈进。

CMP技术虽隐藏在芯片背后，却是摩尔定律持续发展的基石。未来，随着3D芯片堆叠技术的普及，对平整度的要求将更趋严苛。而创新，永远始于毫厘之间的精益求精。