一、邻近效应：微纳加工的“隐形杀手

邻近效应产生原理模拟简图

当电子束穿透光刻胶时，会与材料发生复杂相互作用：一部分电子前向散射，另一部分被衬底反弹形成背散射电子。这些“不听话”的电子会扩散到预设图形区域之外，就像墨水在宣纸上晕染开一般，造成中心区域欠曝、边缘过曝的现象。从泽攸科技的实验数据可见（图2）未校正时，同一芯片上不同区域的线宽差异可达30%以上。

图2 校正剂量前175、200、225μC/cm2条件下SEM形貌图

二、剂量校正技术：给电子束装上“导航系统”

传统解决方式如同“盲人摸象”，而泽攸科技采用的智能剂量校正方案实现了三大创新：

1.双高斯建模：通过α（前散射）、β（背散射）、η（比例系数）三个核心参数，精准模拟电子能量沉积分布

2.动态补偿算法：如图3所示，系统能自动识别欠曝区域（补偿系数＞1.25）和过曝区域（系数＜1.15），实现像素级剂量调节

图3 能量沉积模拟示意图

图4 调整后175、190μC/cm2下曝光后SEM数据形貌图

3.材料数据库支持：集成PMMA、HSQ等常见光刻胶及硅、石英等衬底材料的散射参数，使校正效率提升60%

三、实测表现：棋盘图形见证精度飞跃

图5 150μC/cm2组别SEM下形貌图

在100nm厚PMMA胶、30kV加速电压的测试中，优化后的150μC/cm²剂量组展现出突破性效果（图5）：

中心区域图形均匀性提升80%

边缘孤立图形尺寸偏差从±25%缩小至±8%

整体分辨率达到设计线宽500nm的±3%误差范围内

四、技术展望：让中国智造更“精密”

尽管当前技术对复杂图形的适应性仍有提升空间，但泽攸科技已将该算法集成至自主开发的HNU-EBL软件中。未来结合AI预测模型和实时电子束调控，有望将校正精度推进至亚纳米级。正如团队负责人所言：“解决邻近效应，就是打开量子器件、光子芯片产业化大门的钥匙。”