TESCAN AMBER X
等离子FIB和无漏磁超高分辨场发射扫描电镜的完美结合,无限扩展在材料表征领域的应用
TESCAN AMBER X 是完美结合了分析型等离子FIB和超高分辨(UHR)扫描电镜的综合分析平台,能够同时提供高效率、大面积样品刻蚀,多模态的样品表征,以及在无镓注入干扰状态下进行样品制备和改性。 TESCAN AMBER X 具备快速精确的等离子体FIB刻蚀和无漏磁超高分辨SEM成像的特性,使其成为多项研究的首选方案,例如快速制备出宽度可达1 毫米的截面; 高通量、多模态的FIB-SEM断层扫描,可快速获得三维重建图像和可视化数据; 元素化学和/或晶体取向研究; 无注入离子干扰状态下制备出微米和纳米结构,以便通过其它分析方法进行后续测试或表征等。
主要特性
- iFIB+ 氙等离子FIB镜筒
- 最大离子束流可达1 μA, 可实现超高刻蚀速率
- 分辨率 : < 15 nm
- 无与伦比的超大视野:1 mm @ 30 keV
- 快速精确的压电驱动光阑变换器
- BrightBeam™ 超高分辨SEM镜筒技术
- 无漏磁超高分辨SEM镜筒可以最大程度实现各类样品的分析和表征
- 分辨率:1.5 nm @ 1kV
- 优化的镜筒内探测器系统,进一步提高了探测能力
- 光阑优化提升了分辨率,特别是在高束流下分辨率
主要应用
- 刻蚀和抛光大横截面
在3.5小时内完成宽度达1 mm横截面的刻蚀, 然后使用TESCAN专有的摇摆样品台,以较小的离子束流抛光横截面,这样可以抑制”幕帘效应“(curtaining),同时还可以在刻蚀过程中原位监控横截面质量。
- FIB-SEM断层扫描
AMBER X 是多尺度、多模态微结构表征的最佳选择。这款等离子FIB支持快速地刻蚀和抛光样品。TESCAN用于静态3D EBSD数据采集的专利技术和嵌入式FIB-SEM层析成像模块,可以支持各种成像和分析探测器,增加了实用性,使断层扫描技术可以快速、精确且便捷地应用于各类材料的分析。
- 无镓干扰状态下的样品制备
传统镓离子 FIB加工时由于镓离子污染或注入可能导致的微观结构和/或机械性能改变。氙是一种惰性元素,所以可以实现对铝等材料进行无污染的样品制备和加工。
Application Examples(应用案例)
/AMBER-X-images/A-1-mm-wide-polished-cross-section-of-a-Li-ion-battery-electrode-using-Plasma-FIB.png.aspx?height=350)
/AMBER-X-images/A-Li-ion-battery-cross-section-polished-using-Plasma-FIB-with-curtaining-reduction-using-Rocking-Stage-and-a-thin-silicon-mask-to-suppress-the-surface-topography.png.aspx?height=350)
/AMBER-X-images/A-TEM-lamella-prepartion.png.aspx?height=350)
/AMBER-X-images/3D-EDS-Visualization-of-precipitate-distribution-in-high-alloy-steel-prepared-by-selective-laser-melting-and-annealing-(Sample-courtesy-of-Ecole-Polytechnique-de-Montreal).png.aspx?height=350)